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    直击SK海力士纽约敲钟:纳斯达克人潮如涌,现场挤爆了

    By: rootdata|2026/07/11 04:00:00
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    作者:周艾琳,腾讯科技

    编辑丨刘鹏

    7月的纽约非同寻常,时代广场人潮涌动。纳斯达克市场中心门前,巨幅LED屏幕上,韩国SK海力士的蓝色标志与纳斯达克的绿色光带交织闪烁,在曼哈顿晨间的阳光下,亮得刺眼。

    美国当地时间7月10日上午,"HBM之王"海力士正式登陆纳斯达克。海力士是全球最大的内存半导体公司之一。公司专注于设计、制造和销售先进的存储半导体,包括DRAM(动态随机存取存储器)、NAND闪存以及用于人工智能(AI)的高带宽内存(HBM)。而HBM则是当前AI生态中最为短缺的硬件环节。

    此次美股发行获七倍超额认购,筹资规模265亿美元,仅次于上个月上市的SpaceX将成为全球第二大的股票发行。今年二季度的财报显示,海力士的单季度净利润高达40.35万亿韩元(约273亿美元),同比+398%,环比+165%。要知道,英伟达一季度的净利润也不过约190亿美元。一家卖全球最贵GPU的公司,单季净利反而不及海力士。

    某现场的海力士员工对腾讯财经表示,"我专程休假飞往纽约参加这次上市仪式。"他笑称,在韩国确实众多年轻人都买入了存储相关的杠杆ETF,大家都有一种FOMO(担心错过上涨行情)的情绪。

    不过,经历了存储行业的不断提价、公司股价大涨,近期存储板块显然陷入盘整。究竟海力士的美股登陆是见顶信号,还是扩张的开始?这又对即将登陆A股的长鑫科技意味着什么?

    旧金山资管机构Inside Arbitrage创始人Asif Suria对腾讯财经表示,"海力士登陆纳斯达克,显然是希望借助当前有利的行业周期获益。从需求端来看,存储芯片仍然供不应求,我们已经看到这种供需紧张带来的影响,例如苹果提高了部分产品的售价。但股价通常会领先于基本面,因此目前存储板块的回调是健康的。我认为,至少到今年年底,这轮牛市的核心逻辑并没有发生改变。但比起波动且杠杆复杂的韩国个股,我更倾向于通过持有美光科技来获得存储敞口。"

    Nasdaq Marketsite海力士上市现场外的时代广场 拍摄:周艾琳
    

    01 AI时代的HBM霸主

    在这轮AI超级周期之下,海力士的王者地位得以凸显。

    AI大模型和高性能计算(HPC)的爆发式增长,导致对高带宽、大容量内存的需求激增。根据Gartner数据,2025年至2027年,整体内存半导体市场预计将以86.0%的复合年增长率(CAGR)扩张,到2027年规模将接近7480亿美元。其中HBM增长尤为迅猛。

    同时公司的DRAM和NAND产品的平均销售价格也将大幅上涨。同时,行业正从以消费级需求为主,转向以企业级和数据中心需求为主导,这为高端内存产品(如HBM、企业级SSD)带来了持续的增长机会。

    让我们来看看海力士的行业地位和行业竞争格局:

    行业地位:

    • HBM领域:全球领导者。根据IDC数据,2026年第一季度,海力士在HBM市场的营收份额高达56.4%,位居全球第一。
    • DRAM领域:全球第二。2026年第一季度市场份额为29.1%。
    • NAND领域:全球第二。2026年第一季度市场份额为18.5%。

    竞争格局:

    • DRAM市场:高度集中,主要由三星电子(Samsung)、海力士和美光科技(Micron)三家公司主导。
    • NAND市场:主要竞争者包括三星电子、铠侠(Kioxia)、海力士和西部数据(WesternDigital)。
    • 壁垒:行业具有极高的技术和资本壁垒,新进入者难以在短期内构成威胁。

    之所以海力士能维持高利润,是因为HBM技术壁垒高企。海力士是HBM技术的先驱,2024年率先量产了HBM3E,2025年又成功研发出下一代HBM4。其掌握的TSV(硅通孔)封装技术和MR-MUF(批量回流模压底部填充)工艺是其核心护城河。HBM之所以关键,是因为它缓解了当高性能GPU的运算能力远超传统内存速度时所出现的"内存墙"问题。

    制程技术方面,海力士也维持绝对优势。例如,在DRAM领域,公司拥有1c代(第六代10nm级)制程技术;在NAND领域,正从238层向321层技术的高密度闪存产品过渡,不断提升存储密度和能效。随着AI服务器架构的不断演进,CPU在系统中的作用日益重要,这意味着每个节点对服务器DRAM的需求也随之增加。

    商业模式对于一家优秀的公司而言尤为关键。"双轮驱动"是关键词。公司一方面通过大规模生产标准内存芯片(如DDR5,SSD)获取稳定现金流;另一方面通过定制化、高附加值的AI专用内存(如HBM,CMM)获取超额利润。

    也正因为强大的造血能力。受益于内存涨价的产业上行周期,公司现金流充裕,能够支撑巨额的资本开支(Capex)。在HBM高度紧缺背景下,公司的产能扩张决心也已经彰显,这也是此次海力士登陆美国融资的主要目的之一。公司正在韩国永仁(Yongin)建设超大规模的半导体集群,并在清州(Cheongju)和美国印第安纳州建设先进封装厂,确保了未来5-10年的产能供给。

    02 周期性之争

    存储行业向来是强周期性行业。如今价值百万美金的问题就在于------周期性何时回归,以及股价何时会提前反应?近期韩国存储板块持续回调,这一问题又被推至风口浪尖。

    AI服务器中存储价值占比高达40%,这是由于AI处理的token数量持续膨胀,DRAM容量需求随之翻了近四倍,价格也随着供不应求一路走高。与此同时,云厂商与存储厂商陆续签订长期供货协议(LTA),主动熨平了过去大起大落的周期波动。至少在这两年,传统意义上的"存储周期"已经基本消失。

    "但这不代表周期永远不回来。"富达国际亚太区首席投资策略总监Stuart Rumble此前对腾讯财经表示,历史上每一轮科技基建浪潮,最终都会出现阶段性的过度投入,存储也不会例外。各大存储公司正在扩产,但新增产能预计要到2028至2029年才会集中入市。资本市场向来提前12至18个月交易基本面变化------这意味着,产能压力真正成为市场主题,可能是2027年的事。

    即使强劲的盈利反而导致海力士的估值收缩(即变得更便宜了),但Asif Suria对腾讯财经表示,"估值倍数收缩实际上也可能是一个看空信号,因为对于周期股来说,往往是在行业周期见顶、盈利表现最好的时候,估值看起来反而最便宜。"

    03 存储板块当前的三大核心争议

    针对近期存储板块的回调,摩根士丹利近期则指出了市场上的三大核心争议:

    争议一:Meta出售算力,AI泡沫破裂了吗?

    市场上周流传一则未经证实的消息:全球最大AI算力买家之一有意出售富余计算资源。空头的解读显而易见------如果超大规模云厂商算力过剩,整个AI建设是否已供过于求?

    摩根士丹利的判断是:真正的答案要等二季度财报。

    出售算力不等于过剩,更可能是云厂商在优化资本回报率的商业行为。真正的判断依据是:超大规模云厂商在二季度财报中是否维持或上调资本开支------如果上调,存储股将迎来极佳买入窗口;如果下调,过剩叙事将持续发酵。

    同时,Token经济学出现新变量:许多企业此前鼓励员工尽量多消耗Token,但这导致IT预算超支,企业现在开始削减Token用量、转向更便宜的替代模型------企业正在构建"编排层":简单查询交给开源模型,复杂查询才走旗舰模型。这意味着二季度AI供应链表现尚可,但下半年指引的不确定性正在上升。

    争议二:长期供货协议(LTA)为何没有推动估值重评?

    存储股签订LTA本应是重大利好,但股价反应平淡。摩根士丹利给出了直接解答:

    市场是理性的------它记得历史上LTA曾被重新谈判,或最终迫使客户接收不需要的库存(类比新冠期间的模拟半导体公司)。市场对LTA的冷淡,本质上是对"AI需求的结构性"能否真正持续存在合理怀疑。摩根士丹利认为,当前存储LTA确实具有结构性特征(只要AI需求保持强劲),但盈利预期能否继续超预期,是多头面临的最大不确定性。

    争议三:周期见顶还是周期延长?

    摩根士丹利明确区分两个概念:"变化速率见顶"≠"周期结束"。

    问题在于,价格同比涨幅从一季度的100%以上,大幅收窄至三季度的个位数至低两位数区间------这正是"变化速率见顶"的直观体现。

    如今,机构仍维持对存储行业的长期看多立场,理由是2027年预期盈利增长35-40%,以及AI智能体的大规模普及浪潮。但短期内给出三条明确信号:

    • 财报季前股价将继续承压,市场反应将取决于超大规模云厂商如何解读AI资本开支
    • 板块偏好:DRAM>传统内存>>NAND,最不看好存储模组制造商
    • 仓位层面:历史高位的多头敞口在当前波动率环境下难以维持,已观察到投资者开始分散仓位、布局滞涨机会(如MLCC、半导体设备等)

    04长鑫IPO"梦幻联动"

    一个登陆纽约纳斯达克,一个冲击上海科创板,海力士与长鑫科技两大巨无霸的"梦幻联动"引发关注。

    长鑫科技将在7月16日启动打新,届时市值预计将超2万亿元。某中国头部券商的半导体投行业务人士对腾讯财经表示,长鑫的盈利逻辑是坐收"HBM挤出红利"------三星、海力士、美光将九成以上产能锁死在高利润HBM赛道,传统DRAM出现结构性供给真空,直接结果是:DDR4、DDR5、LPDDR5等通用DRAM的有效供给出现断崖式收缩------长鑫作为全球唯一专注通用DRAM的规模厂商,不是因为技术领先赚到钱,而是因为对手"抽身离场"赚到钱。这是一个典型的"别人打高端,我收低端溢价"的历史性窗口。

    三星、海力士宣布逐步退出DDR4生产,部分型号在2025年一个月内涨价近50%,全年累计涨幅逼近800%。TrendForce预测,2026年普通DRAM获利有望超越HBM3e------这是历史上第一次出现这种反转。

    图为长鑫财务数据
    

    摩根士丹利中国股票策略师王滢对腾讯财经表示,就市场担心的流动性挤压而言,优质巨无霸上市反而会积极推动散户的参与度,凭借旺盛的基本面和较大的流通盘吸引更多场外资金入市。此外,年初以来国家队已卖出超过1500亿美元对应规模的A股仓位,这部分资金完全有能力在短期IPO申购引起流动性波动时进场平抑市场波动。

    亮眼的业绩是长鑫当下的底气。尽管尚不掌握HBM的话语权,但长鑫的财报依然炸裂,2025年毛利率同比跳升36个百分点,招股书直接说明原因是"DRAM产品销售单价在2025年下半年以来持续上涨":

    • 2026年Q1单季净利润是2025年全年的5.7倍
    • 2022-2025年营收复合增长率160.78%
    • 公司原本预计2026-2027年才能盈利,实际提前一年以上
    • 上半年指引:营收1100-1200亿元,同比增长超6倍

    短期(现在-2027年),长鑫无疑可以吃"风口的钱",HBM挤出效应还在持续;中期(2027-2030年),公司则将赚国产替代的钱,中国是全球最大DRAM消费市场,但长鑫当前全球份额仅7.67%,在国内的渗透率也远未饱和;长期(2030年以后),公司则需要赚高端存储的钱。招股书明确写出技术路线:先追通用DRAM,再攻HBM。募资295亿元中,130亿用于DRAM技术升级,90亿用于前瞻技术研发------这是在为未来的HBM入局做产能和技术储备。当然,这条路能不能走通,制裁墙、良率墙、封装墙三座大山都还在。

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